精密劃片機是一種綜合了電力、壓縮空氣、冷卻水、氣浮高速主軸、精密機械傳動、 傳感器及自動化控制等技術的精密數控設備。在安裝、調試、使用、保養、維修等操作之 前，必須確認下列安全信息、操作規程以及注意事項。一、設備的安裝與調試1、劃片機的四周必須保留不小于 0.5米 的無障礙空間，方便操作及維修人員 進行生產操作、保養和檢修。2、劃片機應安裝在無明顯震動、無腐蝕性氣體、無強磁場的清潔室內。工作間 溫度在 20～25...
半導體材料作為半導體產業鏈上游的重要環節，在芯片制造過程中起著關鍵作用。半導體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其中，基體材料主要用于制造硅晶圓或化合物半導體；制造材料主要是將硅晶圓或化合物半導體加工成芯片所需的各種材料；包裝材料是包裝和切割芯片時使用的材料。本文主要介紹了半導體制造和密封測試中涉及的主要半導體材料。基體材料根據芯片材料的不同，基體材料主要分為硅晶圓和化合物半導體，其中硅晶...
封裝經過之前幾個工藝處理的晶圓上會形成大小相等的方形芯片（又稱“單個晶片”）。下面要做的就是通過切割獲得單獨的芯片。剛切割下來的芯片很脆弱且不能交換電信號，需要單獨進行處理。這一處理過程就是封裝，包括在半導體芯片外部形成保護殼和讓它們能夠與外部交換電信號。整個封裝制程分為五步，即晶圓鋸切、單個晶片附著、互連、成型和封裝測試。1、晶圓鋸切要想從晶圓上切出無數致密排列的芯片，我們首先要仔細“研磨”晶圓的...
測試測試的主要目標是檢驗半導體芯片的質量是否達到一定標準，從而消除不良產品、并提高芯片的可靠性。另外，經測試有缺陷的產品不會進入封裝步驟，有助于節省成本和時間。電子管芯分選 (EDS) 就是一種針對晶圓的測試方法。EDS是一種檢驗晶圓狀態中各芯片的電氣特性并由此提升半導體良率的工藝。EDS可分為五步，具體如下 ：1、電氣參數監控 (EPM)EPM是半導體芯片測試的第一步。該步驟將對半導體集成電路需要用到的每...
互連半導體的導電性處于導體與非導體（即絕緣體）之間，這種特性使我們能完全掌控電流。通過基于晶圓的光刻、刻蝕和沉積工藝可以構建出晶體管等元件，但還需要將它們連接起來才能實現電力與信號的發送與接收。金屬因其具有導電性而被用于電路互連。用于半導體的金屬需要滿足以下條件：低電阻率：由于金屬電路需要傳遞電流，因此其中的金屬應具有較低的電阻。熱化學穩定性：金屬互連過程中金屬材料的屬性必須保持不變。高可靠性：隨...
顧名思義，物理氣相沉積是指通過物理手段形成薄膜。濺射就是一種物理氣相沉積方法，其原理是通過氬等離子體的轟擊讓靶材的原子濺射出來并沉積在晶圓表面形成薄膜。
刻蝕在晶圓上完成電路圖的光刻后，就要用刻蝕工藝來去除任何多余的氧化膜且只留下半導體電路圖。要做到這一點需要利用液體、氣體或等離子體來去除選定的多余部分。刻蝕的方法主要分為兩種，取決于所使用的物質：使用特定的化學溶液進行化學反應來去除氧化膜的濕法刻蝕，以及使用氣體或等離子體的干法刻蝕。1、濕法刻蝕使用化學溶液去除氧化膜的濕法刻蝕具有成本低、刻蝕速度快和生產率高的優勢。然而，濕法刻蝕具有各向同性的特點，...
光刻光刻是通過光線將電路圖案“印刷”到晶圓上，我們可以將其理解為在晶圓表面繪制半導體制造所需的平面圖。電路圖案的精細度越高，成品芯片的集成度就越高，必須通過先進的光刻技術才能實現。具體來說，光刻可分為涂覆光刻膠、曝光和顯影三個步驟。1、涂覆光刻膠在晶圓上繪制電路的第一步是在氧化層上涂覆光刻膠。光刻膠通過改變化學性質的方式讓晶圓成為“相紙”。晶圓表面的光刻膠層越薄，涂覆越均勻，可以印刷的圖形就越精細。...
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